英特尔目前的10纳米芯片可以与TSMC和三星的7纳米芯片竞争

据报道，英特尔今年早些时候宣布，将重新夺回在CPU制造领域和PC行业的领先地位无可争议的领导地位这些目标确实令人兴奋，但他们没有透露如何实现这些目标

现在，该公司的首席执行官帕特米多，帕特基尔辛格和技术开发高级副总裁安米多，安凯莱赫终于透露了他未来的计划。

首先，英特尔不再使用以前的产品命名方法他们之前将10纳米芯片命名为增强超级链接，现在直接改名为7这可能会给人一种名不副实的感觉，迫使他们提高价格，因为人们很容易把7误认为7 nm产品

但平心而论，纳米级别的生产工艺已经不能真正对应物理状态在密度方面，英特尔目前的10纳米芯片可以与TSMC和三星的7纳米芯片竞争

超过7纳米，英特尔制定了非常积极的年度产品更新计划预计该公司将于今年秋季推出Alder Lake芯片，该芯片将集成高功率和低功率内核然后，目前的4 nm流星湖芯片被迁移到瓦片设计，并与英特尔的3D堆叠芯片技术Foveros集成

此外，英特尔还为基于EUV的3纳米芯片设计了一项技术，该技术将使用高能制造工艺简化芯片制造过程，并计划采用艾米级技术，20A的输入单位1 Amy等于1/10纳米，所以20A表示2纳米，然后是18A18A产品预计从2025年开始投产，2025—2030年间将有相应产品上市

此外，尽管这些技术水平不再直接对应于实际的物理结构，但硅原子实际上仅在2 emi宽的范围内，因此它实际上是一个非常小的晶体管。